金融界2025年1月29日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119364754 A ，申请日期为2023年7月。 专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。该方法包括：提供衬底，于衬底上交替层叠多层牺牲材料层和多层半导体材料层；图形化多层牺牲材料层和多层半导体材料层，形成在第一方向上间隔分布的多个隔离沟槽，以及位于各隔离沟槽沿第一方向两侧的多层牺牲层和多层半导体层；于隔离沟槽内填充旋涂介电材料，并对所得结构执行退火工艺，以于牺牲层的与旋涂介电材料接触的表面形成第一损伤层；图形化旋涂介电材料，形成在第二方向上间隔设置的至少两个支撑定义孔，并使支撑定义孔暴露出第一目标区域的第一损伤层；去除第一目标区域的第一损伤层；于支撑定义孔内及第一目标区域形成支撑结构。本公开利于提升半导体结构的生产良率、性能及可靠性。 天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币，实缴资本5363300万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1088次，知识产权方面有商标信息207条，专利信息227条，此外企业还拥有行政许可28个。 本文源自金融界 |
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