金融界2025年1月29日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法及半导体结构”的专利，公开号CN 119364752 A，申请日期为2023年7月。 专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，其中，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底具有多个沿第一方向间隔排布的第一沟槽，相邻的第一沟槽之间具有绝缘介质层；在衬底上形成覆盖第一沟槽表面的第一导电层和填充第一沟槽的第二导电层，第二导电层还形成在绝缘介质层上；对第二导电层进行图形化处理工艺，去除部分位于第一沟槽内的第二导电层，以形成第二沟槽，第二沟槽的顶表面高于绝缘介质层的顶表面，且第二沟槽暴露出部分绝缘介质层的侧壁及部分顶面；在第二沟槽中形成隔离结构。可以提高图形化处理工艺的对准精度。 天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币，实缴资本5363300万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1088次，知识产权方面有商标信息207条，专利信息227条，此外企业还拥有行政许可28个。 本文源自金融界 |
立即注册
登录