金融界 2025 年 1 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119364753 A，申请日期为 2023 年 7 月。 专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该方法包括：提供基底结构，其具有阵列区和外围区，并具有第一介质层，第一介质层中具有接触插塞；在第一介质层上形成第二介质层；蚀刻位于阵列区和外围区的第二介质层至预设深度，形成第一沟槽，其对应覆盖接触插塞，预设深度小于第二介质层的高度在第沟槽中形成第一旋涂层；蚀刻位于外围区的第一沟槽中的第一旋涂层，形成第二沟槽，露出位于第一沟槽底部的第二介质层；蚀刻第二沟槽中的第二介质层至露出接触插塞，形成填充孔；去除剩余的第一旋涂层，在第一沟槽和填充孔中共形地形成扩散阻挡层，其与接触插塞连接，并在扩散阻挡层上形成金属层。本公开的方法能提高半导体结构的电学性能及良率。 天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币，实缴资本5363300万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1088次，知识产权方面有商标信息207条，专利信息227条，此外企业还拥有行政许可28个。 本文源自金融界 |
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