金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号 CN 119383950 A，申请日期为2023年7月。 专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构的形成方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：形成有源层；在有源层的一侧形成包括第一掩膜层、第二掩膜层以及第三掩膜层的掩膜材料层；第一掩膜层包括多个间隔分布的掩膜结构；第二掩膜层位于第一掩膜层远离所述有源层的侧且填满各掩膜结构之间的间隙第三掩膜层位于第二掩膜层的表面；在第三掩膜层内形成多个第一掩膜孔和多个第二掩膜；以具有第一掩膜孔和第二掩膜孔的第三掩膜层为掩膜对第二掩膜层及第一掩膜层进行蚀刻，以在第一掩膜层内形成目标掩膜图案。本公开通过以此方法形成的器件有源区内的局部关键尺寸均匀性较好，进而提升了器件的性能。 天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币，实缴资本5363300万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1088次，知识产权方面有商标信息207条，专利信息227条，此外企业还拥有行政许可28个。 本文源自金融界 |
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