金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体器件和半导体器件的制备方法”的专利，公开号 CN 119383962 A，申请日期为2024年10月。 专利摘要显示，一种半导体器件和半导体器件的制备方法，该半导体器件包括位线结构，位线结构包括位线和位线侧壁保护层，位线包括第一半导体层，金属导线层和位线盖层，位线侧壁保护层覆盖位线的两个侧壁；接触插塞，接触插塞位于相邻的位线结构之间；结合垫，结合垫位于接触插塞上，与接触插塞连接，结合垫覆盖部分位线结构的顶面，在位线结构顶面上断开；其中，结合垫包括第一金属材料层和第二金属材料层，第二金属材料层位于第一金属材料层上，第一金属材料层具有L型横截面。可以使相邻的结合垫相互断开，防止结合垫形成短路，同时第二金属材料层又不会减小太多而导致结合垫的电阻过大甚至导致结合垫断路。 天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币，实缴资本5363300万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1088次，知识产权方面有商标信息207条，专利信息227条，此外企业还拥有行政许可28个。 本文源自金融界 |
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