金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 119383955 A，申请日期为2023年7月。 专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底和位于衬底上的堆叠结构；堆叠结构包括交替层叠的第一电极层和第一介质层；堆叠结构包括多个子堆叠结构，每个子堆叠结构均沿第一方向延伸，且多个子堆叠结构沿第二方向排布；每个子堆叠结构沿第二方向相对的两个侧壁中至少有一个侧壁至少包括曲面，每个子堆叠结构沿衬底的厚度方向相对的两个侧壁为平行于衬底的平面；第一方向与第二方向相交且均与衬底的厚度方向垂直；第二介质层，保形覆盖于每个子堆叠结构的外壁以及相邻的两个子堆叠结构之间形成的第一凹槽的底面；第二电极层，保形覆盖第二介质层。 天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币，实缴资本5363300万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1088次，知识产权方面有商标信息207条，专利信息227条，此外企业还拥有行政许可28个。 本文源自金融界 |
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